InGaAs超低噪單元探測(cè)器：超低噪聲光電單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響。該模塊在本底噪聲控制方面尤為突出，在相同參數(shù)下其本底噪聲約為常規(guī)模塊的三分之一，很好滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)更小信號(hào)探測(cè)以及更高信噪比的需求。

InGaAs光電平衡探測(cè)器：高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電 源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。

Si單元探測(cè)器：Si單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響，具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。

InGaAs蝶形單元探測(cè)器：蝶形封裝單元探測(cè)器集成低噪聲PIN探測(cè)器以及跨阻放大器，探測(cè)器采用單電源供電；在兼具原探測(cè)器模塊性能基礎(chǔ)上，其尺寸更小，重量更輕，功耗更低，特別符合目前設(shè)備系統(tǒng)集成小型化趨勢(shì)需求。

MPS2SENS LiTaO?熱釋電紅外探測(cè)器：該熱電探測(cè)器具有高達(dá) 2.0*10^8 cm·Hz^(1/2)/W 的探測(cè)度和 120,000 V/W 的靈敏度，適用于農(nóng)業(yè)、工業(yè)、醫(yī)學(xué)、環(huán)境和電力工程領(lǐng)域的 NDIR 氣體分析應(yīng)用。在高達(dá) 25 Hz 的讀出速率下，熱電探測(cè)器提供可靠且有效的測(cè)量結(jié)果。

MPS4SENS熱釋電紅外探測(cè)器：傳感器特性包括 2 - 15 µm 的寬光譜響應(yīng)（優(yōu)化范圍為 3 - 5 µm）、高達(dá) 100 Hz 的調(diào)制頻率的高靈敏度、由于膜片質(zhì)量小而麥克風(fēng)效應(yīng)低、非常低的溫度依賴(lài)性以及以電流模式放大的信號(hào)。

MTS2SENS 熱電堆探測(cè)器：該探測(cè)器在 -20 至 85 °C 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作，覆蓋廣泛的應(yīng)用范圍：NDIR 氣體分析、工業(yè)過(guò)程和廢氣測(cè)量以及呼吸氣體監(jiān)測(cè)。

MTS2SENS 熱電堆探測(cè)器：IR熱電堆 MTS2SENS200 二氧化碳的基礎(chǔ)是兩個(gè)芯片，每個(gè)芯片包含200個(gè)鉍銻/銻熱電偶。得益于它們以及氪氣的填充，該探測(cè)器具有非常高的探測(cè)度，高達(dá)6.27*10^8 cm√Hz/W，靈敏度高達(dá)171 V/W。信號(hào)質(zhì)量可與熱釋電探測(cè)器相媲美，因此在NDIR組件范圍內(nèi)提供了額外的選擇。