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            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型

            簡要描述:基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型:JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應用而優化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業應用提供長期穩定的輻射輸出,用于在環境溫度為-20至85°C之間控制和監測過程氣體。

            • 產品品牌:Micro-Hybrid
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2025-11-04
            • 訪  問  量:1477

            詳細介紹

            品牌Micro-Hybrid應用領域綜合

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            描述

            JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應用而優化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業應用提供長期穩定的輻射輸出,用于在環境溫度為-20至85°C之間控制和監測過程氣體。

            硅濾波器優化了從紫外到15.5微米波長范圍內的輻射輸出。

            作為SMD封裝,JSIR340特別適合自動拾放裝配和大批量生產。

            我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個多層熱板膜片,內含一個高溫穩定的金屬CMOSI層。發射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米,基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術。所有薄膜工藝均采用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環境影響。

            應用

            l非色散紅外氣體檢測

            l衰減全反射光譜法

            l直接紅外光譜法

            l光聲光譜法

            目標氣體

            l二氧化碳(CO2)

            l甲烷(CH4)

            l丙烷(C3H8)

            l乙醇(C2H5OH)

            l其他紅外活性氣體

            特點

            l成本效益高的組件

            l標準MEMS技術

            lCMOS兼容制造工藝

            l有效的自動化裝配工藝,采用SMD封裝

            l熱板溫度高達740°C

            l適當的輻射輸出

            l由于熱質量低,調制深度高

            技術參數

            技術參數

            TO39 open

            SMD Si ARC

            單位

            光譜輸出范圍

            2 ... 15

            2 ... 15

            μm

            有效面積

            2.2 x 2.2

            2.2 x 2.2

            mm2

            耐熱1

            19 ± 5

            17 ± 5

            Ω

            溫度系數2

            typ. 1 200

            typ. 1 000

            ppm/K

            時間常數0-63%

            typ. 13

            typ. 11.5

            ms

            標稱功耗3

            650

            650

            mW

            工作電壓4

            typ. 3.5

            typ. 3.3

            V

            工作電流4

            typ. 180

            typ. 200

            mA

            推薦驅動模式

            Power mode

            Power mode

            活動區域溫度1,5,6

            600 ± 30

            500 ± 30

            °C

            窗口

            open

            Si ARC

            外殼

            TO39

            SMD

            預計使用壽命7,8

            > 5 000 h at 740 °C

            > 100 000 h at 600 °C

            > 5 000 h at 640 °C

            > 100 000 h at 500 °C

            絕對最大額定值

            輸入功率3,5

            1 000

            1 000

            mW

            外殼溫度8

            200

            200

            °C

            活動區域溫度

            740

            640

            °C

            1. 額定功率下的單位

            2. 25°C - 700°C

            3. 功率開啟狀態

            4. 帶有25Ω熱電阻

            5. 環境溫度為25°C時

            6. 通過紅外相機(0.7-1.1μm)測量的熱點溫度降低10%后的溫度分布平均值

            7. 連續模式下,平均排除故障時間(MTTF)為63%(膜斷裂,基于阿倫尼烏斯定律的計算值)

            8. 包括環境溫度

            典型操作特性

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            電氣示意圖

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            電路

            等效電路圖

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            機械制圖

            TO39底部

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            SMD底部

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            截面圖-TO39 reflector open

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            截面圖-SMD with filter

            基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

            產品概述

            型號

            類型

            填充氣體

            低溫度

            最高溫度

            光圈

            窗口

            JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0

            TO39 with reflector

            None

            -20 °C

            180 °C

            6.0 mm

            Open

            JSIR340-4-CB-0-S5.0-Air-A7

            SMD

            None

            -20 °C

            85 °C

            5.0 x 5.0 mm2

            Si ARC

             

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